Samsung Mulai Produksi Massal HBM4 dengan Teknologi Hybrid Copper Bonding untuk Chip AI Generasi Mendatang

PIHAK Samsung Electronics pada Kamis (12/2/26) telah mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal HBM4 yang menjadi andalan industri dan telah melakukan pengiriman produk tersebut kepada para pelanggan. Pencapaian ini menandai awal bagi Samsung dalam produksi chip memori bandwidth tinggi generasi keenam, mengamankan posisinya di pasar HBM4. 

Samsung dilaporkan sedang berupaya mempercepat produksi dengan memperkenalkan Hybrid Copper Bonding (HCB) untuk chip HBM di pabrik chipnya di Cheonan, Provinsi Chungcheong Selatan, Korea Selatan. Langkah ini dilakukan dengan harapan mampu mempersingkat waktu pengiriman untuk produk HBM4 dan generasi HBM mendatang bagi klien utama, salah satunya adalah Nvidia.

Peralatan untuk lini HCB diprediksi tiba pada Maret dan akan digunakan untuk menyiapkan proses manufaktur, melakukan pengujian, dan memverifikasi kualitas chip yang dikemas. Setelah pengujian awal berhasil diselesaikan, produksi skala penuh akan dimulai. Beberapa pihak juga mengatakan bahwa Samsung mempercepat jadwal produksinya setelah menerima permintaan dari Nvidia.

Baca juga : Pemerintah Dorong Produksi Semikonduktor Bernilai Tambah Tinggi

Chip HBM Buatan Samsung Electronics

HBM4 Samsung menghadirkan kecepatan pemrosesan yang konsisten sebesar 11,7Gbps dan menetapkan tolak ukur baru untuk kinerja HBM4. Kinerja dari HBM4 juga dapat ditingkatkan hingga mencapai 13Gbps yang secara efektif mengurangi hambatan data seiring peningkatan skala model AI. Selain itu, Samsung menyiapkan total bandwidth memori maksimum sebesar 3,3TB/s.

Samsung juga masih menyesuaikan opsi kapasitas dengan kebutuhan pelanggan di masa mendatang dengan menggunakan teknologi _16-layer stacking_ yang memperluas kapasitas mencapai 48GB. HBM4 digadang-gadang mencapai peningkatan efisiensi daya sebesar 40% dengan adanya teknologi TSV dan optimalisasi distribusi daya jika dibandingkan dengan HBM3E.

Selain itu, HCB yang diproduksi untuk HBM4 ini dapat mengurangi resistensi termal hingga 20%. Namun, para pengamat industri memperingatkan bahwa peningkatan kinerja pada kondisi laboratorium tidak selalu langsung dapat dituangkan pada produksi massal mengingat adanya faktor efisiensi biaya dan hasil produksi.

Samsung memperkirakan penjualan HBM dapat meningkat tiga kali lipat pada 2026 dan secara proaktif memperluas kapasitas produksi HBM4. Pengambilan sampel untuk HBM4E juga diharapkan dapat dimulai pada paruh kedua 2026. Sementara itu, sampel HBM kustom akan diterima oleh pelanggan pada 2027 menyesuaikan spesifikasi masing-masing.

Industri semikonduktor tengah mengamati seberapa cepat Samsung dapat membangun lini pengemasan HCB dan seberapa efektif kinerja chip HBM4 ketika dipasangkan dengan akselerator AI generasi berikutnya, seperti pada milik Nvidia dan AMD. (Samsung Newsroom, Sam Mobile/P-3)